福晶铌酸锂材料。上海交通大学无锡光子芯片研究院透露，下阶段，研究院将基于6/8寸
福晶铌酸锂材料。上海交通大学无锡光子芯片研究院透露，下阶段，研究院将基于 6/8 寸薄膜铌酸锂晶圆，以薄膜铌酸锂调制器为核心，攻克薄膜铌酸锂光子芯片产业化面临的工程技术难题，开发晶圆级芯片量产工艺，实现薄膜铌酸锂光子芯片规模量产，满足人工智能发展等大算力需求。
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