惠峰的个人经历如下：
- 1980年出生，中国国籍，无境外永久居留权，本科学历，高级工程师、国家一级建造师。
- 曾带领课题组先后完成了国家“八五”、“九五”重点科技攻关、“十五”国家863计划重大项目，北京市重大科技项目等10多项科研和产业化任务，解决了晶体生长中热场设计、提高单晶率，优化晶体生长和晶片加工工艺条件及批量生长的重复性等一系列关键工艺技术，多次获得中科院科技进步二、三等奖。
- 1988年、1993年、1997年分别破格聘任为助理研究员、副研究员、研究员。任中国科学院半导体研究所学术委员会委员，SEMI中国标准委会材料分会委员，中国电子材料行业协会委员；1993年12月获中国科学院优秀青年，2000年获得国务院颁发的政府特殊津贴。
- 2002年-2005年任中科镓英半导体有限公司总经理助理，筹建投资1.5亿元砷化镓单晶产业化建设项目，负责从可行性研究报告、初步设计、施工图到工程建设生产线总体工艺设计及生产线设备安装调试、试生产。建成拥有自主知识产权具有国际先进水平砷化镓单晶产业化平台，产品80%出口国际市场。
- 2007年至今，担任云南中科鑫圆晶体材料有限公司总经理。已研制出3英寸、4英寸太阳能锗单晶送国内权威检测机构检测，参数指标达到国防客户要求指标和美国 AXT 公司指标。研究高平整度超薄锗片线切割和研磨技术、高平整度超薄锗片化学机械抛光-单面化学抛光工艺技术、高清洁度锗抛光晶片清洗封装技术，实现了开盒即用锗晶片切磨抛关键工艺技术突破，达到国内外客户要求，为 VGF 法锗单晶及开盒即用锗晶片大规模产业化奠定了坚实的基础。
- 截至2024年11月，担任云南锗业子公司鑫耀半导体的总经理。2024年11月18日晚间云南锗业的公告显示，其以持有的中科鑫圆2.3845%股权作价5,425,714.13元，认购鑫耀公司4,662,849.39元新增注册资本。完成增资后，持有鑫耀公司6.1252%股权。
需注意的是，不同领域可能有不同的名为惠峰的人物，如果你想了解的是其他惠峰的个人经历，请提供更多相关背景或上下文信息。
