每经记者朱成祥

　　9月9日，工信微报微信公众号发文披露《首台（套）重大技术装备推广应用指导目录（2024年版）》。其中，在电子专用设备一栏，氟化氪光刻机、氟化氩光刻机位列其中。该资料显示，氟化氩光刻机具有65纳米以下的分辨率和8纳米以下的套刻精度。

　　据东兴证券研报，光刻机可分为直写光刻机与掩膜光刻机，市场主流有i-Iine（汞线）、KrF（氟化氪）、ArF（氟化氩）、ArFi（浸润式氟化氩）、EUV（极紫外）五大类。

　　此次入选推广目录的氟化氩光刻机，应属于干式ArF光刻机。在具体指标上，与ASML旗下TWINSCAN NXT：1470以及TWINSCAN XT：1460K类似。

　　按照市场监管总局等5部门于今年4月联合印发的《中国首台(套)重大技术装备检测评定管理办法(试行)》，重大技术装备是国之重器，事关综合国力和国家安全。中国首台(套)重大技术装备，是指国内实现重大技术突破、拥有知识产权、尚未取得明显市场业绩的装备产品，包括整机设备、核心系统和关键零部件等。

　　国产光刻机实力几何？

　　据工信微报发文，此次指导目录是为促进首台（套）重大技术装备创新发展和推广应用，加强产业、财政、金融、科技等国家支持政策的协同。

　　具体来看，氟化氪光刻机晶圆直径为300mm（12英寸）；照明波长为248mm；分辨率≤110nm；套刻≤25nm。

　　相比之下，阿斯麦（ASML）的氟化氪光刻机型号有TWINSCAN NXT：870、TWINSCAN XT：860N和TWINSCAN XT：860M。这三个型号，波长均为248mm；分辨率≤110nm。

　　而指导目录中更为先进的氟化氩光刻机，其照明波长为193mm，分辨率≤65nm；套刻≤8nm。

　　这一数据与ASML旗下TWINSCAN XT：1460K最为接近。该型号照明波长为193mm，分辨率≤65nm。此外，该系统可以在偏振照明下实现低至57nm的生产分辨率。

　　相比之下，ASML浸润式光刻机TWINSCAN NXT 1980Fi分辨率≤38nm。据民生证券研报，该型号可实现2.5nm的套刻精度（MMO）。

　　据东海证券援引ASML官网数据，2023年各类光刻机均价为EUV（17386万欧元）、ArFi（7196万欧元）、ArFdry（2742万欧元）、KrF（1192万欧元）、i-Iine（399万欧元）。

　　东海证券认为，目前光刻机国产化率仅为2.5%，整机技术与海外差距较大，短期5~10年内一方面重点发展90nm、28nm光刻机的研发量产较为关键，一方面重点布局国内半导体零组件发展。

　　光刻机产业链亟须发展

　　东海证券称，根据中国国际招标网信息，半导体设备招标中，刻蚀、沉积等核心设备的国产化率获得了较大的提升，核心在于技术上我国相关企业已经逐步追赶上海外企业；但光刻机作为核心设备，国产化率不足3%，核心原因在于零组件供应与整机技术与海外差距较大。

　　光刻机零部件方面，同飞股份曾在2023年中报表示，其液体恒温设备在半导体制造设备领域，主要应用于光刻机、刻蚀机、研磨抛光机等关键设备的温度控制。

　　不过，根据东兴证券研报，光刻机核心组件包括光源系统、双工作台、物镜系统、对准系统、曝光系统、浸没系统、光栅系统等。配套设施包括光刻胶、掩膜版、涂胶显影等。

　　光源系统方面，据华金证券，针对准激光光源，科益虹源主要研发248nm准分子激光器、干式193nm准分子激光器等；福晶科技研发KBBF晶体。

　　另据东兴证券，波长光电为国内激光光学元件的主要供应商，目前，公司已具备提供光刻机配套的大孔径光学镜头的能力，公司成功开发的光刻机平行光源系统可用于国产光刻机领域配套。

　　波长光电也曾于2023年9月15日披露投资者活动记录表称，公司在半导体领域主要涉及两个领域：一个是生产领域，即曝光机、光刻，公司可提供大口径光学镜头用于检测，做折反、投射，还可以提供平行光源系统；另一个是检测领域，公司可提供检测设备上的光学元件、组件，也可为客户定制开发、装调子系统。

　　物镜系统方面，东兴证券称，茂莱光学光刻机曝光物镜超精密光学元件加工技术已实现产业化。

　　东海证券研报显示，中国2023年进口光刻机数量高达225台，进口金额高达87.54亿美元，进口金额创下历史新高，预计3年至5年内我国光刻机主要依赖进口。一台先进的光刻机有多达10万个零部件，整体来看我国半导体零组件的国产化率非常低，尽管在各个赛道均有相关的国有企业在不断发展，距离海外企业依然有较大的差距，同时也预示着国内零组件企业公司有较大的发展机遇。