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1.富加镓业：国内首次实现坩埚下降法生长3英寸氧化镓晶体
半导体材料行业分会 2024年10月27日 15:14北京
据杭州光学精密机械研究所官微消息，2024年7月，杭州光机所孵育企业杭州富加镓业科技有限公司（简称“富加镓业”）在国内首次采用坩埚下降法（VB）生长了3英寸氧化镓单晶，这是该公司在氧化镓单晶生长领域取得的又一次重大突破，标志着该公司在氧化镓单晶生产技术上又迈出了重要一步，为国内半导体材料的产业化注入了新的活力。
图1 VB法氧化镓晶锭
据了解，富加镓业始终坚持产业化导向，曾先后突破导模法（EFG）6英寸导电型、绝缘型氧化镓衬底生长技术及EFG“一键长晶”装备等。此次他们基于模拟仿真技术，成功研制了VB法氧化镓长晶装备，并实现了3英寸氧化镓单晶的成功生长。VB法生长氧化镓晶体无需使用铱金，大大降低了生长成本。同时，生长过程温度场均匀，温度梯度较小，更易实现大尺寸、高质量氧化镓晶体的生长。此外，VB法生长过程稳定，更适合自动、规模化生产。展望未来，富加镓业将继续加大研发投入，推动氧化镓单晶技术的进一步优化和应用拓展。
2.完成外延片第一轮横向功率器件验证
3.杭州富加镓业新专利：开创氧化镓薄膜制造新技术
绘画小精灵
近年来，随着半导体产业的蓬勃发展，材料技术的创新亦成为业内关注的焦点。2024年10月19日，杭州富加镓业科技有限公司获得了一项重要专利，名为“一种在非故意掺杂衬底上制备同质外延氧化镓薄膜的方法及分子束外延设备”。这一专利的发布，标志着在氧化镓薄膜制造领域的技术突破，或将显著推动相关产业的升级与进步。
氧化镓（Ga2O3）是一种极具潜力的宽带隙半导体材料，广泛应用于光电器件、功率电子、射频器件等领域。其独特的电学和光学特性，使其成为未来新一代高效、高频、高功率电子器件的理想材料。在这一领域，薄膜的制备技术直接影响到器件的性能和应用效果。
此次获批的专利涉及了一种新型的氧化镓薄膜制备方法，特别是针对非故意掺杂衬底的应用。从技术细节上来看，此项技术利用分子束外延（MBE）设备，可以在不需要额外掺杂的条件下，高效制备出高质量的氧化镓薄膜。这一方法的实现，不仅提高了薄膜的生长效率，也有望降低生产成本，增强器件的稳定性和可靠性。
更重要的是，这一专利的技术总结了非故意掺杂衬底对外延生长的影响，从理论和实践上都为后续研究奠定了基础。虽然当前全球氧化镓供应链相对成熟，但随着新技术的发展，特别是中国企业在行业内的迅速崛起，未来的应用场景将会更加丰富，市场前景广阔。
在这一技术进步背后，我们看到的不仅仅是企业在技术上的领先，更是整个行业在追求高效能和可持续发展方面的努力。随着技术的不断革新，氧化镓薄膜的应用范围将不断扩展，未来可以应用于更多高科技领域，比如新型5G通信、可再生能源、智能电网等。
4.最新专利迅速获批
5.富加镓业-引领氧化镓产业化新篇章，6英寸单晶及外延片生产线正式启航
在半导体材料领域，一场由氧化镓引领的创新风暴正席卷而来。9月12日，杭州富加镓业科技有限公司（以下简称“富加镓业”）宣布其6英寸氧化镓单晶及外延片生长线于9月10日在杭州富阳正式开工建设，标志着我国在超宽禁带半导体材料氧化镓的产业化道路上迈出了坚实的一步。
富加镓业，这家成立于2019年底的年轻企业，自成立以来便专注于氧化镓材料的研发与产业化，致力于将这一潜力无限的半导体材料推向市场前沿。此次开工建设的6英寸氧化镓单晶及外延片生长线，不仅是国内首条同类生产线，更是富加镓业在技术创新与产业升级上的重要里程碑。
据富加镓业介绍，氧化镓材料以其卓越的性能与成本优势，正逐步成为继碳化硅之后最具潜力的半导体材料之一。与宽禁带半导体碳化硅、氮化镓等材料相比，氧化镓在制备成本、单晶质量、缺陷控制及尺寸扩展等方面展现出显著优势。特别值得一提的是，氧化镓材料的热处理温度及硬度与单晶硅相近，这意味着从成熟的单晶硅器件线转型至氧化镓器件线，仅需更换少量设备，大大降低了转型成本与难度。
作为国内目前唯一一家同时具备6英寸单晶生长及外延技术的公司，富加镓业已成功实现了6英寸导电型及绝缘型氧化镓单晶衬底的制备，并在单晶外延技术上取得重要突破，达到了6英寸硅基器件线产业化的关键门槛。这一成就不仅彰显了富加镓业在氧化镓材料领域的领先地位，更为我国半导体产业的转型升级注入了强劲动力。
值得注意的是，富加镓业的这一举措并非孤例。近年来，国内多家厂商和研究机构正加速布局氧化镓产业，并取得了一系列令人瞩目的成果。中国电科46所成功制备出6英寸氧化镓单晶，技术达到国际一流水平；北京铭镓半导体有限公司实现了4英寸氧化镓晶圆衬底技术突破；而镓仁半导体则联合浙江大学等科研机构，采用自主创新的铸造法成功制备了高质量6英寸氧化镓单晶及衬底片，并持续推动技术的迭代升级。
随着这些成果的不断涌现，氧化镓材料在功率器件、微波射频及光电探测等领域的应用前景日益广阔。富加镓业此次6英寸氧化镓单晶及外延片生产线的开工建设，无疑将加速推动我国氧化镓产业的成熟与发展，为全球半导体材料市场带来新的活力与机遇。
富加镓业将继续秉承创新驱动发展的理念，深耕氧化镓材料领域，不断突破技术瓶颈，提升产品质量与产能，为推动我国半导体产业的转型升级和高质量发展贡献力量。
