士兰微:拟投建8英寸SiC功率器件芯片制造生产线项目
来源:上海证券报·中国证券网
上证报中国证券网讯(记者孔子元)士兰微公告,公司与厦门市人民政府、厦门市海沧区人民政府签署了《8英寸SiC功率器件芯片制造生产线项目战略合作框架协议》,各方合作在厦门市海沧区投资建设一条以SiC-MOSEFET为主要产品的8英寸SiC功率器件芯片制造生产线,该项目分两期建设,项目一期投资规模约70亿元,二期投资规模约50亿元。
公司同日公告,为落实公司与厦门市人民政府、厦门市海沧区人民政府签署的《战略合作框架协议》,公司与厦门半导体投资集团有限公司、厦门新翼科技实业有限公司于2024年5月21日签署了《8英寸SiC功率器件芯片制造生产线项目之投资合作协议》。各方合作在厦门市海沧区合资经营项目公司“厦门士兰集宏半导体有限公司”,以项目公司负责作为项目主体建设一条以SiC-MOSEFET为主要产品的8英寸SiC功率器件芯片制造生产线,产能规模6万片/月。第一期项目总投资70亿元,其中资本金42.1亿元,占约60%;银行贷款27.9亿元,占约40%。第二期投资50亿元,在第一期的基础上实施,第二期建成后新增8英寸SiC芯片2.5万片/月的生产能力,与第一期的3.5万片/月的产能合计形成6万片/月的产能。
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