天岳先进：
尊敬的投资者，您好！生产碳化硅单晶衬底的关键步骤是单晶的生长，也是碳化硅半导体材料应用的主要技术难点，是产业链中技术密集型和资金密集型的环节。碳化硅的单晶生产方式主要有物理气相传输法(PVT)、高温气相化学沉积法(HT-CVD)、液相法(LPE)等方法。其中，PVT法是目前产业内规模化碳化硅晶体生长方法。液相法SiC长晶技术具有多个优势，理论上具有位错密度低、晶体质量高等优势，受到产业内高度关注，但液相法的大规模应用尚需要攻克碳化硅单晶高质量生长界面控制和缺陷控制难题等产业化难点，目前液相法尚未实现产业化大规模生产。 公司积极探索和布局前瞻性技术，在2023Semicon论坛上，公司首席技术官高超博士报告了公司核心技术及前瞻性研发情况，通过液相法制备出了低缺陷密度的8英寸晶体，属于业内首创。公司将持续加大研发力度，不断突破技术瓶颈，加快产品创新，巩固和提升公司在行业中的领先地位。本次定增事项在按照公司规划统筹稳步推进，公司一直严格按照法律法规及监管部门要求做好信息披露，后续股东大会召开事项请您关注公司公告。谢谢您的关注！