8月31日，锴威特披露上半年业绩，公司实现营业总收入5763.07万元。

　　上半年，受数字经济、AI及新质生产力发展的推动，与数字芯片相关的晶圆代工及封测呈恢复态势，但功率及模拟类仍不达预期，功率半导体行业竞争加剧，成本不断上升。

　　为积极应对市场挑战，进一步提升市场份额，锴威特持续加大产品研发投入，针对高可靠、新能源、储能、智能电网等重点应用领域进行产品布局。报告期内，公司研发费用为2498.00万元，同比增长43.58%，研发费用占营业收入的比例为43.35%。同时，丰富公司产品布局。PWM控制IC方面：完成了反激、正激、半桥、推挽、全桥、移相全桥等隔离拓扑产品系列化，推出了输入电压高达100V以上同步Buck控制器、同步Boost控制器等新品。为提高电源系统效率，推出了可支持反激、QR、LLC等拓扑的同步整流驱动IC，工作频率可高达1MHz，工作电压可达300V。功率驱动IC方面：推出80V 3A集成MOSFET的单芯片H桥驱动芯片，同时可支持100%占空比工作，进一步提升系统的安全及可靠性；推出180V GaN专用半桥驱动芯片，工作频率高达1MHz以上。在功率MOSFET方面，开发完善了沟槽MOSFET及高压超结的工艺平台优化和产品布局，开发了100V SGT工艺平台及12寸20V-40V的沟槽工艺平台，完成了650V 100A大电流的超结产品开发。SiC MOSFET方面：公司与国内晶圆代工厂合作开发了1200V、1700V、2600V、3300VSiC MOSFET的生产工艺平台，其中1200V SiC MOSFET工艺平台已成功进入中试阶段，新推出2600V和3300V SiC MOSFET产品，目前，产品正在客户验证中。

　　值得一提的是，为回报广大投资者对公司的信任，稳定投资者信心，提振市场情绪，切实保护投资者利益，公司拟实施2024年度中期分红，拟向全体股东每10股派发现金红利1元（含税）。（宁晖）