英伟达GB200,用台积电4nm,因为有两个大核之间传输要求极高,台积电良品率一
英伟达GB200,用台积电4nm,因为有两个大核之间传输要求极高,台积电良品率一直上不去,可能要重新设计推迟了上量时间,当下良率年产50万都做不到。台积电所谓4nm,栅级距离在20nm以上,所以对于GPU并不友好。中国在西数东输,在西部电力太充足,910足够了。美国不行,性能提升5倍,能耗还要降一半以上,很抢手,所以HBM4三星也要上4nm,那也是明年的事了,所以明年高端low-a球铝才真正有需求。
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