三星电子正在加速研发一种名为Hafnia Ferroelectrics的材料,
并考虑以此材料实现超高层数3D NAND堆叠。如果上述材料研发顺利,将能够在特定条件下表现出铁电性,有望取代目前在3D NAND堆叠技术中使用的氧化物薄膜,提升芯片耐用与稳定度。三星高层预期,3D NAND大约在2030年有望向上堆叠超1000层。
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