铠侠目标2027年3D NAND闪存实现1000层堆叠
来源：财联社
铠侠目标在2027年3D NAND闪存实现1000层堆叠。3D NAND在2014年只有24层，到2022年达到238层，8年间增长了10倍。而铠侠目标以平均每年1.33倍的速度增长。三星在上个月表示，计划2030年之前推出超过1000层的先进NAND闪存芯片。
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