昨日，广东省人民政府公布《广东省加快推动光芯片产业创新发展行动方案（2024—2030年）》（以下简称“《行动方案》”），明确六项重点任务、四项重点工程，提出力争到2030年，广东取得10项以上光芯片领域关键核心技术突破，打造10个以上“拳头”产品，培育10家以上具有国际竞争力的一流领军企业，建设10个左右国家和省级创新平台，培育形成新的千亿级产业集群，建设成为具有全球影响力的光芯片产业创新高地。

　　《行动方案》明确，强化光芯片基础研究和原始创新能力，鼓励有条件的企业、高校、科研院所等围绕单片集成、光子计算、超高速光子网络、柔性光子芯片、片上光学神经网络等未来前沿科学问题开展基础研究；加大“强芯”工程对光芯片的支持力度，面向集成电路产业底层算法和架构技术的研发补贴、量产前首轮流片奖补等产业政策，扩展至光芯片设计自动化软件（PDA工具）、硅光MPW流片等领域。

　　《行动方案》多次提及广州发挥基础优势，推动光芯片产业发展。《行动方案》提出，明确支持广州、深圳、珠海、东莞等地发挥半导体及集成电路产业链基础优势，结合本地区当前发展人工智能、大模型、新一代网络通信、智能网联汽车、数据中心等产业科技的需要，加快培育光通信芯片、光传感芯片等产业集群，打造涵盖设计、制造、封测等环节的光芯片全产业链。

　　《行动方案》提出推进光芯片关键装备研发制造。大力推动刻蚀机、键合机、外延生长设备及光矢量参数网络测试仪等光芯片关键装备研发和国产化替代等；推进产业强链补链建设工程，鼓励有条件的机构对标国际一流水平，建设光芯片设计工具软件及IP等高水平创新平台，构建细分领域产业技术创新优势等，加强光芯片设计研发，加强光芯片制造布局，提升光芯片封装水平。