衢州发展与寒武纪相比再涨200倍也不算高……
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发表于 2024-12-26 20:40:58
发布于 天津
的富加镓业专注于第四代半导体材料宽禁带半导体氧化镓材料的研发，氧化镓的击穿场强理论上可以达到8eV/cm，是氮化镓的2.5倍，是碳化硅的3倍多。从功率半导体特性来看，与前代半导体材料相比，氧化镓材料具备更高的击穿电场强度与更低的导通电阻，从而能量损耗更低，功率转换效率更高。
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