公告日期：2024-08-23

中微半导体设备（上海）股份有限公司

关于 2024 年度“提质增效重回报”专项行动方案的

半年度评估报告

为践行以“投资者为本”的上市公司发展理念，维护公司全体股东利益，基于对公司未来发展前景的信心及价值的认可，中微半导体设备（上海）股份有限
公司（以下简称“公司”）于 2024 年 3 月 19 日发布 2024 年度“提质增效重回
报”行动方案（以下简称“行动方案”），以进一步提升公司经营效率，强化市场竞争力，保障投资者权益，树立良好的资本市场形象。公司根据行动方案内容，积极开展和落实各项工作，现将 2024 年上半年的主要工作成果报告如下。

一、专注公司核心业务，突破创新提升竞争力，以良好的业绩成长回报投资者

半导体微观加工设备作为数码产业的基石，是发展集成电路和数码产业的关键，中微公司自 2004 年成立以来，一直致力于开发和提供先进的微观加工所需的高端关键设备，是典型的新质生产力代表。凭借创新的研发团队和深厚的客户关系，公司聚焦布局核心设备，关键技术不断突破创新，并快速扩增产品线及扩大产品在国内领先客户的市场占有率。公司目前可以提供 5 纳米及更先进的芯片
刻蚀设备，从 2012 年到 2023 年的十余年中，销售额年均增长率超过 35%。公司
2024 年上半年新增订单金额约 47.0 亿元，同比增长约 40.3%，其中等离子体刻
蚀设备订单 39.4 亿元，同比新增约 50.7%；营业收入达到 34.48 亿元，同比增长
约 36.46%，其中等离子体刻蚀设备收入 26.98 亿元，增长约 56.68%。

2024 年，公司继续瞄准世界科技前沿，秉承三维发展战略，持续锻造并提升经营管理能力，实现高速、稳定、健康和安全的发展。具体包括以下方面：

1、聚焦核心主业，加速新产品推出

中微公司在刻蚀设备、薄膜沉积设备、MOCVD 设备等领域均取得了显着成就。在刻蚀设备方面，凭借行业首创的刻蚀设备双台机技术，中微公司率先提出“皮米级”加工精度概念，其刻蚀精度已经达到 100“皮米”以下水平，相当于头发丝 350 万分之一的精准度，并且产品具备刻蚀应用覆盖丰富等优势，能够满
足 90%以上的刻蚀应用需求，技术能力已覆盖 5 纳米及以下更先进水平。中微公司刻蚀设备市场占有率持续提升，不断收到领先客户的批量订单。等离子体刻蚀设备研发方面，公司根据技术发展及客户需求，大力投入先进芯片制造技术中关键刻蚀设备的研发和验证，目前针对逻辑和存储芯片制造中最关键刻蚀工艺的多款设备已经在客户产线上展开验证。公司针对超高深宽比刻蚀自主开发的具有大
功率 400kHz 偏压射频的 Primo UD-RIE 已经在生产线验证出具有刻蚀≥60:1 深
宽比结构的量产能力。同时，公司积极布局超低温刻蚀技术，在超低温静电吸盘和新型刻蚀气体研究上投入大量资源，积极储备更高深宽比结构（≥90:1）刻蚀
的前瞻技术。多款 ICP 设备在先进逻辑芯片、先进 DRAM 和 3D NAND 产线验
证推进顺利并陆续取得客户批量订单。晶圆边缘 Bevel 刻蚀设备完成开发，即将进入客户验证，公司的 TSV 硅通孔刻蚀设备也越来越多地应用在先进封装和
MEMS 器件生产。截至 2024 年 6 月，公司累计生产付运超过 3600 个 CCP 刻蚀
反应台，超过 700 个 ICP 反应台。

中微公司持续加码创新研发，在半导体薄膜沉积设备领域也不断突破，公司目前已有多款设备产品进入市场，其中部分设备已获得重复性订单，其他多个关键薄膜沉积设备研发项目正在顺利推进。公司钨系列薄膜沉积产品可覆盖存储器件所有钨应用，并已完成多家逻辑和存储客户对 CVD/HAR/ALD W 钨设备的验证，取得了客户订单。公司近期已规划多款 CVD 和 ALD 设备，增加薄膜设备的覆盖率，进一步拓展市场。公司组建的 EPI 设备研发团队，通过基础研究和采纳关键客户的技术反馈，已经形成自主知识产权及创新的预处理和外延反应腔的设
计方案,目前公司 EPI 设备已顺利进入客户验证阶段，以满足客户先进制程中锗硅外延生长工艺的电性和可靠性需求。

在 MOCVD 设备方面，中微公司自推出第一代 MOCVD 设备 PRISMO A7
以来，不断丰富产品线且快速升级迭代，目前在 MiniLED 等氮化镓基设备领域，中微公司的市场占有率稳居前列。Micro-LED 应用的专用 MOCVD 设备开发顺利，实验室初步结果实现了优良的波长均匀性能，已付运样机至国内领先客户开展生产验证；用于碳化硅功率器件外延生产的设备正在开发中，已付运样机至……
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