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发表于 2024-12-11 09:00:50 股吧网页版
长光华芯850nm 100G PAM4 VCSEL芯片获业内技术创新奖
来源:证券时报网 作者:齐和宁


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  长光华芯(688048)官方微信公众号12月9号发布消息,近日,2024年度ICC讯石光通信行业英雄榜颁奖活动在苏州举办,长光华芯850nm 100G PAM4 VCSEL芯片荣获创新技术奖。

  据介绍,ICC讯石·光通信行业英雄榜从光通信产业链入手,从参选产品的技术、成本、市场占有率、客户满意度和第三方权威验证等数据选出获奖产品,经过十一年的发展,讯石英雄榜已成为光通信行业年度顶尖评选盛会之一,其中,创新技术奖旨在表彰2024年度在补短板、填空白或实现国产替代方面具有重要意义的产品。

  公司表示,历经十余年发展,长光华芯建立了从芯片设计、MOCVD(外延)、光刻、解理/镀膜、封装测试等完善的一站式IDM全流程平台,在高速率光通信芯片研发过程中,攻克了二次外延对接工艺、含AL材料外延生长、特殊抗反射设计、腔面钝化镀膜等关键技术。100G VCSEL产品的开发和量产自主可控,在量产稳定性和可靠性上,相比于代工模式具有显著产能和质量管控优势。

  长光华芯已形成全面、丰富的通信光芯片产品矩阵,可满足超大容量的数据通信需求,距离上覆盖VR、SR、DR、FR等,速率上覆盖单波25G、50G、100G。可快速解决高端光芯片产能短缺和成本痛点,是短距互联光芯片一站式IDM解决方案商。

  长光华芯专注于研发和生产半导体激光芯片,核心技术覆盖半导体激光行业最核心的领域,攻克了一直饱受桎梏的外延生长、腔面处理、封装和光纤耦合等技术难题,建成了完全自主可控的从芯片设计、MOCVD(外延)、FAB晶圆流片、解理/镀膜、封装、测试、光学耦合、直接半导体激光器等完整的工艺平台和量产线,拥有2吋、3吋、6吋三大量产线,边发射EEL、面发射VCSEL两大产品结构,GaAs砷化镓、InP磷化铟、GaN氮化镓三大材料体系,是全球少数几家具备6吋线外延、晶圆制造等关键制程生产能力的IDM半导体激光器企业之一,面向未来,公司正积极开发演进下一代光芯片平台技术和产品。

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