HBM（High Bandwidth Memory）：专为巨量数据处理设计的DRAM技术，通过堆叠内存芯片和TSV技术与微凸点互连，实现高带宽和低功耗。

制造流程：包括TSV、Bumping/Stacking和KGSD测试三个环节，其中TSV是垂直互连的核心。

TSV技术：在硅片内部钻孔并填充导电材料，允许电信号和热量在堆叠芯片间传递，提高数据传输速率并改善热管理。

TSV工艺成本：在4层DRAM和1层逻辑的HBM中，TSV工艺成本占比约30%，其中TSV制造成本占比达18%，TSV显露为12%。

TSV设备：包括深孔刻蚀设备、气相沉积设备、铜填充设备和CMP设备。

TCB（热压键合）：用于创建原子级金属键合，具有均匀性优势，市场CR5占比达88%。

混合键合：同时键合电介质和金属焊盘，具有更短的互联距离、更低的成本和更高的互联密度。