用液相法制成的碳化硅衬底，质量相当高。特别是天岳推出的P型4度偏角碳化硅衬底，电
用液相法制成的碳化硅衬底，质量相当高。特别是天岳推出的P型4度偏角碳化硅衬底，电阻率低于200m·cm，而且面内电阻率分布得很均匀，结晶性也很好。这样的材料，为高性能的SiC-IGBT等高端器件的研发提供了坚实的基础，进一步推动了碳化硅材料在智能电网等高压大功率领域的应用。
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