11月15日,据中铁建工集团消息,国博射频集成电路产业化(二期)项目主体结构已全
$国博电子(SH688375)$ 11月15日,据中铁建工集团消息,国博射频集成电路产业化(二期)项目主体结构已全面封顶,全面转入二次结构、机电安装及装饰装修施工阶段。
据悉,国博射频集成电路产业化项目由南京国博电子有限公司投资建设,占地面积约203亩,总投资30亿元,新建厂房及附属设施,新增设备五百余台套。项目分两期建设,其中一期用地面积约103亩,建筑面积约15.1万平方米;二期用地面积约100亩,建筑面积约7.5万平方米。
上述一期项目投资额20亿元,中试厂房、芯片厂房、模块厂房等设施已于2023年竣工投产;二期项目将重点补充射频集成电路封测制造能力,建成后与一期形成射频集成电路规模化设计、制造能力。
据悉,国博电子成立于2000年,位于南京市江宁区,隶属于中国电子科技集团有限公司。国博电子主要从事有源相控阵T/R组件和射频集成电路相关产品的研发、生产和销售。
今年前三季,国博电子实现营收18.13亿元,同比减少35.83%;归属于上市公司股东的净利润3.06亿元,同比减少31.93%。2024年第三季,公司实现营收5.11亿元,同比减少43.51%;归属于上市公司股东的净利润6185万元,同比减少56.28%。
值得一提的是,国博电子近期接受调研时表示,公司的GaN射频模块目前主要应用于国内5G通信基站,产品功率覆盖100W-600W,主流通信频段均有批量应用。
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