在2024第二季度财报会议上，安森美总裁兼首席执行官Hassane El-Khoury提到，安森美在SiC市场占据主导地位，为中国近60%的碳化硅车型提供SiC产品，而他们今年的碳化硅营收涨幅要高于市场增速的2倍。

在今年纯电车型增速放缓的大背景下，安森美将如何保持碳化硅营收高增长？他们开拓了哪些新的应用市场？有哪些新的碳化硅技术？8吋晶圆线怎样推进？针对这些话题，近日“行家说三代半”采访了安森美相关高层。

全球电气化亟需高效电源

碳化硅3大增长引擎启动

在8月29日的交流会上，安森美电源方案事业群产品市场副总裁Kris Casey表示，今年来，安森美的碳化硅业务取得不错的成绩，2023年整体碳化硅营收增长了4倍以上，预计2024年整体业务量还将再翻番。

Kris Casey认为，全球各个领域的电气化趋势蔚然成风，而背后的主要推动因素是节能减排，这一趋势不仅催生了对更具成本效益及更高性能的功率半导体解决方案的需求，同时也为碳化硅和IGBT市场带来了持续的增长动力。

安森美电源方案事业群产品市场副总裁Kris Casey

Kris Casey表示，全球各个领域的能源用量不断在攀升，例如工业领域消耗了全球能源的三分之一，其中90%的工业供暖是依靠传统的化石能源；2030年全球电动汽车的耗电量将达到1150TWH，约等于全球居民十年的用电量；2026年，数据中心的用电量将达到1000TWH。

Kris Casey认为，这种能源需求永远不会消失和减少，而是不断增加，为了实现全球能源的可持续使用，以及实现节能减排，因此需要可靠、高效的电气化的能源解决方案，哪怕是1%的电源效率提升都能为社会带来长足影响。

她举例道，电机领域消耗了全球50%的电力，如果效率提升1%，全球每年可以节约近190亿美元的电力成本；新能源汽车仅1%的效率提升就可以直接转化超过40亿英里以上的续航里程；数据中心如果实现1%的电源节约，全球每年可节省超过6.53亿美元的电力成本。

针对全球电气化趋势，安森美通过“四个S”战略，为电源客户进一步赋能，这其中就包括碳化硅解决方案。

“行家说三代半”在安森美的PCIM ASIA展台发现，他们的碳化硅技术已经被古瑞瓦特、长城电源和优优绿能等企业导入了数据中心、充电桩和光储领域。

优优绿能40kW充电桩模块：采用了安森美第三代SiC MOSFET，相比传统的Si MOSFET方案，模块将效率提高了大约1%，可达到约97%的高效水平，同时还提升了散热性能， 降低运行温度，提高可靠性。

长城电源AI服务器5.5kW电源：采用安森美第三代SiC MOSFET以及精妙的拓扑设计，显著提升了效率至97%，远超钛金标准96%。

安森美电源方案事业群资深产品专家Mrinal Das博士在接受采访时表示，汽车是碳化硅第一个增长引擎，而直流快速充电器、储能、太阳能等领域正在成为第二引擎，进一步推动碳化硅业务的快速发展。

而碳化硅的第三个增长加速引擎或将是人工智能数据中心，包括UPS、电源装置等应用。Mrinal Das表示，在接下来的3-5年，单个数据中心的容量将会从传统的150MW-180MW，提升到500MW兆瓦以上,这意味着电源单元必须具备更高的功率能力，预计将从传统的3kW、4kW，逐步提升至5kW、8kW，甚至10kW。而碳化硅的高功率密度和效率能够在数据中心中发挥非常重要的作用，能够帮助数据中心电源实现更高的功率密度。

安森美电源方案事业群资深产品专家 Mrinal Das博士

未来6年推出多代沟槽MOS

8英寸SiC产线随势而动

在智能电源方面，安森美新进推出了最新的两代技术平台，其中包括最新一代EliteSiC MOSFET——M3e。

据“行家说三代半”了解，安森美的平面栅SiC MOSFET从最早的M1和M2已经迭代到M3S和M3E，主要的技术变化在于元胞结构从四边形和六边形，变成了元胞间距更小的条形结构，M3E的元胞长度相比M1平台缩小了65%，并通过晶圆减薄工艺，降低了导通电阻。

据Mrinal Das介绍，安森美的M3e产品在值得信赖且经过现场验证的平面架构上，实现了传导和开关损耗的显著降低。与前几代产品相比，M3e平台的导通损耗降低了30%，关断损耗降低高达50%，而且具有非常低的导通电阻和短路能力。

并且通过结合安森美最先进的分立和功率模块封装技术，在相同的牵引逆变器外壳中，M3e输出功率约提升20%，或者可以减少20%的SiC用量来达成同等功率水平，进而节省成本，并实现更小、更轻、更可靠的系统设计。

Kris Casey在接受采访时透露，安森美的M3e已经通过了众多战略性头部客户的技术评估，现在已经有很多客户在不断地加速该技术和产品的使用。例如今年7 月，安森美与大众汽车集团签署了一份为期多年的协议，大众可扩展系统平台 (SSP)下一代牵引逆变器电源解决方案将采用EliteSiC M3e MOSFET。

此外，安森美还表示，在2030年之前，他们还将以更快的速度将几款新的EliteSiC产品推向市场，从第四代开始全面转向沟槽栅SiC MOSFET。

Mrinal Das告诉“行家说三代半”，安森美希望通过SiC MOSFET芯片技术的创新来降低成本，例如M3e平台可以进一步地降低产品的成本，因为它能进一步地优化碳化硅单位面积上的功率产出，或者增加单片晶圆的芯片产出数量。

安森美的第二个降本方法就是增加碳化硅晶圆的直径，8英寸晶圆可以在在同样的工艺中实现两倍裸片的产出，他们正在对8英寸的技术进行进一步开发和验证。

Mrinal Das表示，“我们预计从明年开始，有可能可以实现6英寸到8英寸晶圆过渡的条件，但实际的过程什么时候开始，需要根据市场需求来决定。如果市场需求不足，那我们是不会开启这个正式的过渡，因为安森美要进一步最大化地利用现有碳化硅晶圆厂，要考虑到对晶圆厂的有效管理，要分析何时开启8英寸过渡才能帮助我们尽可能地保持较低的成本优势，这些都是我们要考虑的。”