公告日期：2024-08-31

苏州锴威特半导体股份有限公司

2024 年度“提质增效重回报”行动方案的半年度评估报告
苏州锴威特半导体股份有限公司（以下简称“公司”）为践行“以投资者为本”的上市公司高质量发展理念，维护全体股东利益，促进公司可持续发展，基于对公司发展前景的信心和对公司长期投资价值的认可，制定了《2024 年度“提质增
效重回报”行动方案》。具体内容详见公司于 2024 年 4 月 12 日披露于上海证券交
易所网站（www.sse.com.cn）的《苏州锴威特半导体股份有限公司 2024 年度“提质增效重回报”行动方案》。现将 2024 年上半年公司行动方案进展及成效情况报告如下：

一、聚焦夯实主业，推动高质量发展

报告期内，半导体产业整体复苏周期长于预期，回暖速度呈现明显分化。受数字经济、AI 及新质生产力发展的推动，与数字芯片相关的晶圆代工及封测已呈恢复态势，但功率及模拟类仍不达预期。当前，功率半导体行业仍处供过于求阶段，国产功率器件厂商面临市场需求萎靡、行业竞争加剧的不利局面，产品价格持续下滑，短期看价格未出现全面上涨信号，同时叠加行业竞争同步加剧，受成本增加等因素影响，公司业绩恢复不及预期。公司始终坚持“自主创芯，助力核心芯片国产化”的发展定位，坚持把夯实主业作为应对风险、高质量发展的重要保障，深度挖掘客户需求，全力以赴开拓市场，打造优质产品，深化客户精细化运营，针对客户不同需求痛点，及时根据政策和市场导向优化调整营销策略，深耕下游消费电子、工业控制及高可靠市场并持续拓宽细分应用领域，以公司高质量发展更好的回报投资者。

公司作为典型的研发与技术创新驱动企业，持续加大对产品及核心技术的研发投入，根据市场发展趋势、下游客户需求，不断拓宽产品系列，强化自主研发产品竞争力，报告期内公司稳步推进产品研发及迭代升级。PWM 控制 IC 方面：公司持续丰富产品线，完成了反激、正激、半桥、推挽、全桥、移相全桥等隔离
拓扑产品系列化，推出了输入电压高达 100V 以上同步 Buck 控制器、同步 Boost
控制器等新品。为提高电源系统效率，推出了可支持反激、QR、LLC 等拓扑的
同步整流驱动 IC，工作频率可高达 1MHz，工作电压可达 300V。功率驱动 IC 方
面：公司推出 80V3A 集成 MOSFET 的单芯片 H 桥驱动芯片，同时可支持 100%
占空比工作中，进一步提升系统的安全及可靠性；公司推出 180VGaN 专用半桥驱动芯片，工作频率高达 1MHz 以上。在功率 MOSFET 方面，报告期内公司开发完善了沟槽 MOSFET 及高压超结的工艺平台优化和产品布局，开发了 100V
SGT 工艺平台及 12 寸 20V-40V 的沟槽工艺平台，完成了 650V100A 大电流的超
结产品开发。SiC MOSFET 方面：公司加大 SiC MOSFET 加工的产能布局及工
艺平台的开发，报告期内与国内晶圆代工厂合作开发了 1200V、1700V、2600V、
3300V SiC MOSFET 的生产工艺平台，其中 1200V SiC MOSFET 工艺平台已成
功进入中试阶段，新推出 2600V 和 3300V SiC MOSFET 产品，目前产品正在客
户验证中。

报告期内研发人员人数增至 73 人，占公司总人数的比例为 41.71%，研发技
术团队规模持续扩大，人员素质不断提升。

公司充分重视对研发成果进行知识产权申请和保护。本期新获授权专利 21
项（其中发明专利 19 项、实用新型专利 2 项），集成电路布图设计专有权 11 项；
截至 2024 年 06 月 30 日，公司已获授权专利 109 项(其中发明专利 66 项、实用
新型专利 43 项)，集成电路布图设计专有权 87 项。

公司将继续强化公司的经营管理，注重人才培养与优化研发环境，不断完善人才培养体系，强化芯片的前端设计技术内生增长，促进企业价值回归。

二、坚持规范运作，不断强化合规意识

公司持续关注证券市场法治化的发展动态，结合公司实际情况，对管理制度进行了全面审查和梳理，修订完善了《公司章程》、《股东大会议事规则》、《独立董事工作制度》等 20 余项治理制度。公司立足企业发展需求，不断完善公司治理结构，提升履职效能，形成了以股东大会、董事会、监事会及经营管理层为主体结构的决策与经营体系，打造了权责分明的治理体系，公司规范运作水平和风

报告期内，公司与大股东、董监高等“关键少数”保持密切沟通。公司证券部向大股东、董监高传递《科创板监管直通车》《证券法》等最新的证券法律法规、规章制度、监管信息，及……
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