摘 要
1、虽然经济数据有反复，但美国就业和通胀温和降温的大趋势不变。此外，巴以冲突等地缘冲突依然存在，避险情绪并未消失，去美元化需求下央行购金动力也没有改变，叠加美国货币政策逐步转向，金价仍有上行空间。或可逢低关注$国泰黄金ETF联接A(OTCFUND|000218)$。
2、三期大基金可能会重点投向目前卡脖子问题比较严重的上游设备和材料领域，另外与AI相关的算力芯片、存储芯片等环节大概率也会是大基金三期重点扶持的方向。从传统需求周期角度看，今年一季度PC和智能手机出货量均有回升。总体来讲，半导体芯片产业链已经进入国产替代、创新、基本面多重周期共振的阶段，或可关注$国泰CES半导体芯片行业ETF联接C(OTCFUND|008282)$、$国泰中证半导体材料设备主题ETF发起联接C(OTCFUND|019633)$和$国泰中证全指集成电路ETF发起联接C(OTCFUND|020227)$的投资机会。
3、上证指数在编制规则优化后指数的稳定性和代表性进一步提升，是投资A股较好的宽基指数。上证指数采用总市值加权，相比于自由流通市值加权的沪深300等宽基指数，其权重股中“中字头”标的占比更高，近三年业绩表现明显优于沪深300，并且在新国九条背景下中长期投资价值或凸显。$国泰上证综合ETF联接C(OTCFUND|011320)$的年管理费率为0.15%，年托管费率为0.05%，是全市场费率最低的大盘投资利器之一。
正 文
一、大盘分析
A股昨日震荡走低，创业板指冲高回落。截至昨日收盘，上证综指收跌0.28%，深证成指跌0.69%，创业板指跌0.09%，两市成交额7551亿元。从盘面上看，半导体产业链活跃，大消费以及资源股出现回调。
二、黄金板块
北京时间昨日凌晨2点，美联储宣布，将联邦基金利率目标区间维持在5.25%至5.50%的水平不变，符合市场预期。同时，最新公布的“点阵图”显示，美联储决策者们将今年降息次数的中位数预期从3月份的3次降到了仅有1次，今年中位数利率预期也从今年3月的4.6%调整到了5.1%。
随后，美联储主席在新闻发布会上的讲话也释放了“鹰派”信号。他表态称，通胀已经实质性地放缓，但仍然太高，今年迄今的通胀数据还不足以给美联储降息的信心。美联储主席的讲话以及点阵图都预示着，今年降息1次可能是大概率事件，即使5月CPI显示通胀改善，美联储官员也不急于降息。
虽然经济数据有反复，但美国就业和通胀温和降温的大趋势不变。此外，巴以冲突等地缘冲突依然存在，避险情绪并未消失，去美元化需求下央行购金动力也没有改变，叠加美国货币政策逐步转向，金价或仍有上行空间。或可逢低关注国泰黄金ETF联接A（000218）。
三、芯片板块
芯片板块昨日较为活跃，国泰CES半导体芯片行业ETF联接C（008282）、国泰中证半导体材料设备主题ETF联接C（019633）、国泰中证全指集成电路ETF联接C（020227）均上涨。
政策面上，国家集成电路产业投资基金三期有限公司于近日注册成立，注册资本3440亿元，成为中国芯片领域史上最大规模基金项目，体量超市场预期。第三期大基金可能会重点投向目前卡脖子问题比较严重的上游设备和材料领域，以及与此对应的晶圆制造产业链环节。除此之外，全球人工智能大模型发展如火如荼，与AI相关的算力芯片、存储芯片等环节大概率也会是大基金三期重点扶持的方向。
AI的发展不仅对算力提出了更高的要求，同时也对与算力的内存系统提出了更高的要求。行业主流存储芯片厂商已经开始涨价，根据Trend Force最新预估，2024年第二季DRAM合约价季涨幅将上修至13%~18%；NAND Flash合约价季涨幅同步上修至约15%~20%。综合分析，二季度存储芯片市场大概率还会保持价格上涨的趋势。
从今年5月开始，大模型价格战呈现出愈演愈烈的局面，更多的获取用户是大模型厂商关注的重点之一。在大模型普及初期，众多厂商进行价格战将有望加速AI大模型用户的普及，帮助用户完成初步产品教育，有利于未来市场进一步发展扩容。
AI算力芯片增长空间广阔，但从当前角度看产业链最大的驱动因素还是其传统需求周期。据IDC数据，在经历了连续8个季度的同比下滑后，PC市场今年Q1出货量5980万台，同比转正。全球智能手机出货量同样延续回暖，同比增长幅度达7.7%。
来源：Wind，同花顺iFind，德邦证券研究所
总体来讲，半导体芯片产业链已经进入国产替代、创新、基本面多重周期共振的阶段。短期受市场情绪、海外制裁事件等因素影响，上述因素在板块定价层面可能没有得到充分反应。感兴趣的投资者或可持续关注国泰CES半导体芯片行业ETF联接C（008282）、国泰中证半导体材料设备主题ETF联接C（019633）、国泰中证全指集成电路ETF联接C（020227）后续的布局机会。
四、上证指数
市场经过近1个月的调整，上证指数再度逼近3000整数关口，新一轮“3000”保卫战一触即发。站在当前时点，国泰上证综合ETF联接C（011320）的投资性价或凸显。
自2月末上证指数站上3000点之后，3000关口先后面临了2次考验，但市场都有惊无险地止跌回升，3000点或是后续调整的一个支撑位。
从指数本身角度来分析，上证指数在编制规则优化后指数的稳定性和代表性进一步提升，是投资A股较好的宽基指数。上证综指采用总市值加权，相比于自由流通市值加权的沪深300等宽基指数，其权重股中“中字头”标的占比更高，近三年业绩表现明显优于沪深300，并且在新国九条背景下中长期投资价值或凸显。
另外值得一提的是，国泰上证综合ETF联接C（011320）的年管理费率为0.15%，年托管费率为0.05%，是目前全市场费率最低的大盘投资利器之一，感兴趣的投资者或可持续关注国泰上证综合ETF联接C（011320）。
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国泰黄金ETF联接A基金成立于2016.04.13，2019-2023年净值增长/业绩比较基准（%）：18.88/18.74，13.54/13.77，-4.87/-3.89，9.94/9.34，16.45/ 15.98。业绩比较基准：上海黄金交易所挂盘交易的Au99.99合约收益率*95%+银行活期存款收益率(税后)*5%，数据来源：基金定期报告。本基金主要投资对象为国泰黄金ETF，预期风险收益水平与黄金资产相似，不同于股票基金、混合基金、债券基金和货币市场基金。
国泰CES半导体芯片行业ETF联接C成立于2019.11.22。国泰CES半导体芯片行业ETF联接C2019-2023年净值增长率/业绩基准（%）为3.94/13.76，49.94/48.55，26.46/27.95，-36.35/-37.06，-2.88/-3.66。业绩比较基准：中华交易服务半导体芯片行业指数收益率*95%+银行活期存款利率(税后)*5%。数据来源：基金定期报告。本基金为ETF联接基金，目标ETF为股票型指数基金，因此本基金属于较高预期风险和预期收益的证券投资基金品种，其预期收益及预期风险水平高于混合型基金、债券型基金和货币市场基金。本基金主要通过投资于目标ETF跟踪标的指数表现，具有与标的指数以及标的指数所代表的证券市场相似的风险收益特征。
国泰中证半导体材料设备主题ETF联接C成立于2023.09.26，自成立以来-2023年净值增长率/业绩基准（%）：-2.66/ -3.13。业绩比较基准：中证半导体材料设备主题指数收益率*95%+银行活期存款利率(税后)*5%。数据来源:基金定期报告。本基金为ETF联接基金，目标ETF为股票型指数基金，其预期收益及预期风险水平理论上高于混合型基金、债券型基金和货币市场基金。本基金主要通过投资于目标ETF跟踪标的指数表现，具有与标的指数以及标的指数所代表的证券市场相似的风险收益特征。
国泰中证全指集成电路ETF发起联接基金成立于2023.12.07。业绩比较基准：中证全指集成电路指数收益率*95%+银行活期存款利率(税后)*5%。本基金为ETF联接基金，目标ETF为股票型指数基金，其预期收益及预期风险水平理论上高于混合型基金、债券型基金和货币市场基金。本基金主要通过投资于目标ETF跟踪标的指数表现，具有与标的指数以及标的指数所代表的证券市场相似的风险收益特征。
国泰上证综合ETF联接C基金成立于2021.1.22，国泰上证综合ETF联接C自成立-2023年净值增长率/业绩比较基准（%）：6.53/0.54，-7.16/-14.35，-0.46/-3.47。业绩比较基准：上证综合指数收益率*95%+银行活期存款利率（税后）*5%。数据来源：基金定期报告。本基金为ETF联接基金，目标ETF为股票型指数基金，因此本基金属于较高预期风险和预期收益的证券投资基金品种，其预期收益及预期风险水平高于混合型基金、债券型基金和货币市场基金。本基金主要通过投资于目标ETF跟踪标的指数表现，具有与标的指数以及标的指数所代表的证券市场相似的风险收益特征。
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